美光科技发布了全球首款基于G9工艺节点的UFS 4.1和UFS 3.1智能手机存储解决方案，旨在为设备带来更强大的本地人工智能功能。这些新型存储芯片预计将与美光1y工艺的LPDDR5X芯片一同应用于未来的旗舰产品。新款UFS 4.1和UFS 3.1移动存储芯片在硬件性能上实现了显著提升，并具备更高的能效和读写速度。容量范围从256GB到1TB，适用于超薄和折叠屏智能手机。通过软件优化，美光进一步增强了用户体验和人工智能任务的性能，例如UFS 4.1的分区UFS技术和数据碎片整理功能。

🚀 美光推出基于G9工艺节点的UFS 4.1和UFS 3.1智能手机存储解决方案，标志着存储技术的一大进步，旨在提升设备端的本地人工智能能力。

💾 新型存储芯片容量从256GB至1TB不等，适用于超薄和折叠屏智能手机，满足了不同设备对存储容量的需求。

⚙️ UFS 4.1存储解决方案支持分区UFS技术，提高读写效率并降低写入放大效应；数据碎片整理功能可将UFS设备内部的数据重定位和碎片整理效率提升60%。

⏱️ 固定写入加速器（Pinned WriteBooster）将存储在写入加速器缓冲区中的数据访问速度提升高达30%；智能延迟追踪器通过分析延迟日志自动进行调试，提升了整体性能。

IT之家 3 月 3 日消息，今日美光科技宣布其全球首款基于 G9 工艺节点的 UFS 4.1 和 UFS 3.1 智能手机存储解决方案开始出货，为设备带来更多本地人工智能功能。这些新型存储芯片预计将在美光 1y 工艺的 LPDDR5X 芯片推出后不久应用于旗舰产品，而 LPDDR5X 芯片将于 2026 年初上市。

新型 UFS 4.1 和 UFS 3.1 移动存储芯片在硬件性能上实现了显著提升，其基于美光的 G9 工艺节点，具备更高的能效和读写速度。芯片容量将涵盖 256GB 至 1TB，适用于超薄和折叠屏智能手机。

IT之家注意到，除了硬件升级外，美光还通过软件优化进一步提升用户体验和人工智能任务的性能。例如，UFS 4.1 存储解决方案支持分区 UFS 技术，可提高读写效率并降低写入放大效应。数据碎片整理功能可将 UFS 设备内部的数据重定位和碎片整理效率提升 60%。此外，固定写入加速器（Pinned WriteBooster）能够将存储在写入加速器缓冲区中的数据访问速度提升高达 30%。智能延迟追踪器则通过分析延迟日志自动进行调试，这一功能也适用于 UFS 3.1 芯片，而其他功能则为 UFS 4.1 芯片独有。