美光公司宣布推出全球首款基于G9工艺的UFS 4.1和UFS 3.1存储解决方案，旨在为智能手机带来更强大的设备端人工智能功能。这些芯片采用美光的G9工艺节点，提供更高的能效和读写速度，容量范围在256GB到1TB之间，适用于超薄和可折叠智能手机。除了硬件升级，美光还通过软件优化提升用户体验和AI任务性能，例如UFS 4.1支持Zoned UFS提高读写效率，数据碎片整理提高性能，Pinned WriteBooster提升数据访问速度，以及智能延迟跟踪器自动调试。

🚀 美光推出基于G9工艺的UFS 4.1和UFS 3.1存储芯片，专为智能手机设计，提升设备端AI能力。

⚡️ UFS 4.1和UFS 3.1芯片容量在256GB至1TB之间，适用于超薄和可折叠智能手机，提供更高能效和读写速度。

💾 UFS 4.1支持Zoned UFS，提高读写效率，减少写入放大；数据碎片整理优化UFS设备内部数据，提升性能60%。

⚙️ Pinned WriteBooster技术加速WriteBooster缓冲区的数据访问速度，提升30%；智能延迟跟踪器通过分析延迟日志实现自动调试。

今天，美光宣布为智能手机推出全球首款基于 G9 的 UFS 4.1 和 UFS 3.1 存储解决方案，从而实现更多的设备上人工智能功能。 在美光的 1y LPDDR5X 芯片于 2026 年初上市后不久，新的存储芯片将在旗舰产品上推出。

UFS 4.1 和 UFS 3.1 移动存储芯片基于美光的 G9 工艺节点，具有更高的能效和读写速度。 芯片的容量在 256GB 和 1TB 之间，适用于超薄和可折叠智能手机。

不过，除了硬件方面的改进，美光还承诺在软件方面进行一些调整，以提升用户体验并改善一些人工智能任务的性能。 

例如，UFS 4.1 存储解决方案支持 Zoned UFS，提高了读写效率，减少了写入放大，而数据碎片整理则将 UFS 设备内部的数据重新定位和碎片整理提高了 60%。 Pinned WriteBooster 可使位于 WriteBooster 缓冲区的数据访问速度提高 30%。 智能延迟跟踪器可通过分析延迟日志自动进行调试。 最后一项功能同样适用于 UFS 3.1，而其他功能似乎是 UFS 4.1 芯片独有的。