美光发布HBM4和HBM4E内存的最新进展，HBM4计划2026年量产，采用2048位接口，而HBM4E则在后续推出，不仅提供更高的数据传输速度，还可根据需求定制基础芯片。定制逻辑芯片将由台积电使用先进工艺制造，集成更多缓存和逻辑电路，提升内存性能。美光总裁表示HBM4E将改变存储行业，为特定客户提供定制化解决方案。美光的HBM4采用1β工艺DRAM，数据传输速率约为6.4GT/s，带宽高达1.64TB/s。此外，美光HBM3E已向英伟达出货，12-Hi堆栈正在测试，性能优异，将用于AMD和Nvidia的AI加速器。

🚀 美光下一代HBM4内存采用2048位接口，计划于2026年开始大规模生产，而HBM4E将在后续几年推出，提供更高的数据传输速率。

🛠️ HBM4E的关键创新在于其可定制的基础芯片，可根据客户需求进行调整，并由台积电采用先进工艺制造，集成更多缓存和逻辑电路，从而提升整体性能。

📈 美光HBM4采用1β工艺DRAM，数据传输速率约为6.4GT/s，理论带宽高达每堆栈1.64TB/s，性能显著提升。

💪 美光HBM3E已向英伟达出货，12-Hi堆栈正在测试中，相较于竞争对手的HBM3E 8-Hi，功耗低20%，但提供50%更高的内存容量和领先的性能，预计将用于AMD和Nvidia的AI加速器。

IT之家 12 月 22 日消息，据外媒 Wccftech 今日报道，美光发布了其 HBM4 和 HBM4E 项目的最新进展。

具体来看，下一代 HBM4 内存采用 2048 位接口，计划在 2026 年开始大规模生产，而 HBM4E 将会在后续几年推出。

HBM4E 不仅会提供比 HBM4 更高的数据传输速度，还可根据需求定制基础芯片，这一变化有望推动整个行业的发展。

据了解，定制的逻辑芯片将由台积电使用先进工艺制造，能够集成更多的缓存和逻辑电路，从而提升内存的性能和功能。

美光总裁兼 CEO Sanjay Mehrotra 表示：“HBM4E 的推出将改变存储行业，它将提供定制逻辑基础芯片的选项，借助台积电先进的工艺，美光将能够为特定客户提供定制化解决方案。这项创新将推动美光财务表现的提升。”

美光表示，HBM4E 的开发进展顺利，已经与多家客户展开合作，预计不同客户将采用不同配置的基础芯片。

据IT之家了解，美光的 HBM4 将采用 1β 工艺（第五代 10nm 技术）生产的 DRAM，置于一个 2048 位接口的基础芯片上，数据传输速率约为 6.4GT/s，理论带宽高达每堆栈 1.64TB/s。

美光还透露，针对英伟达的 Blackwell 处理器，8-Hi HBM3E 设备的出货已全面展开，12-Hi HBM3E 堆栈正在进行测试，主要客户反馈良好。

Mehrotra 表示：“我们继续收到主要客户对美光 HBM3E 12-Hi 堆栈的积极反馈，尽管功耗比竞争对手的 HBM3E 8-Hi 低 20%，美光的产品依然提供 50% 更高的内存容量和行业领先的性能。”

12-Hi HBM3E 堆栈预计将用于 AMD 的 Instinct MI325X 和 MI355X 加速器，以及 Nvidia 的 Blackwell B300 系列计算 GPU，服务于 AI 和 HPC 应用。